海飞乐技术现货替换XTN660N04T4场效应管

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海飞乐技术现货替换XTN660N04T4场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 660 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 860 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1040 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: Gen4
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 110 S
下降时间: 260 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 430 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 386 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 30 g

集成电路是人类信息化发展的支柱产业。2018年全球集成电路总产值约4000亿美元，其中功率半导体产业占到了9%。功率半导体作为集成电路中占比-大的行业应用，随着超级结技术发展到理论极限，而复合物宽禁带功率半导体技术又面临成熟度低、成本高等因素推广困难，如何在现阶段有效突破“功率密度”——这一人类不懈追求目标的技术瓶颈是业界面临的挑战。

对正确选择MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源电压VGS的作用。这个电压是在给定的-大RDS(on)条件下，能够确保MOSFET完全导通的电压。这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因，而且也是只有在这个电压下才能保证器件导通。一个重要的设计结果是，你不能用比用于达到RDS(on)额定值的-低VGS还要低的电压，来使MOSFET完全导通。例如，用3.3V微控制器驱动MOSFET完全导通，你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的MOSFET。
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