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海飞乐技术现货替换IXTP150N15X4场效应管

2020-3-10 17:29:38 944

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTP150N15X4场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 150 A Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Qg-栅极电荷: 105 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 480 W 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 系列: X4-Class 商标: IXYS 下降时间: 6 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 5 ns 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 60 ns 典型接通延迟时间: 23 ns MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时--要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-10 17:29:38　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXTP100N15X4场效应管 579 • 海飞乐技术现货替换IXTN400N15X4场效应管 536 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 886 • 海飞乐技术现货替换IXFK150N30X3场效应管 1468 • 海飞乐技术现货替换IXFP130N15X3场效应管 517 • 海飞乐技术现货替换IXTP140N12T2场效应管 730 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 651 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 468 • 海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管 810 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 569