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海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管

2020-3-20 17:09:10 819

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 850 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 330 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 63 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 540 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: X-Class 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 6 S 下降时间: 20 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 28 ns 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 44 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-20 17:09:10　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFP14N85XM场效应管 1138 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 595 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1148 • 海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管 547 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 867 • 海飞乐技术现货替换IXFP72N20X33场效应管 580 • 海飞乐技术现货替换IXFP90N20X3M场效应管 746 • 海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管 1014 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 660 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 486