海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1000 V
Id-连续漏极电流: 65 A
Rds On-漏源导通电阻: 89 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 350 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1200 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 34 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 127 ns
典型接通延迟时间: 48 ns

电压等级
确定MOSFET的首要特性是其漏源电压VDS，或“漏源击穿电压”，这是在栅极短路到源极，漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的-高电压。VDS也被称为“25℃下的---高电压”，但是一定要记住，这个--电压与温度有关，而且数据表里通常有一个“VDS温度系数”。你还要明白，-高VDS是直流电压加上可能在电路里存在的任何电压尖峰和纹波。例如，如果你在电压30V并带有100mV、5ns尖峰的电源里使用30V器件，电压就会超过器件的---高限值，器件可能会进入雪崩模式。在这种情况下，MOSFET的可靠性没法得到保证。
在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。例如，一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的，在接近-高结温时，温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。很多MOSFET用户的设计规则要求10%～20%的降额因子。在一些设计里，考虑到实际的击穿电压比25℃下的额定数值要高5%~10%，会在实际设计中增加相应的有用设计裕量，对设计是很有利的。

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