海飞乐技术现货替换IXTP140N12T2场效应管

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海飞乐技术现货替换IXTP140N12T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 174 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 577 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchT2
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Trench T2
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 66 S
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 27 ns

如果栅极和源极之间有足够的电容，或者栅极电阻足够大，则应该可以导致稳定性问题。一旦确定RGATE和CGATE相互会产生不利影响，则可以揭开100 Ω或者任何栅极电阻值成为合理答案的原因。
图2所示为用于凸显电路行为的LTspice仿真示例。Neubean通过仿真来展现稳定性问题，他认为，稳定性问题会随着RGATE的增大而出现。毕竟，来自RGATE和CGATE的极点应该会蚕食与开环关联的相位裕量。然而，令Neubean感到惊奇的是，在时域响应中，所有RGATE值都未出现任何问题。
结果发现，电路并不简单。在研究频率响应时，Neubean意识到，需要明确什么是开环响应。如果与单位负反馈结合，构成环路的正向路径会从差值开始，结束于结果负输入端。Neubean然后模拟了VS/(VP – VS)或VS/VE，并将结果绘制成图。图3所示为该开环响应的频域图。在图3的波特图中，直流增益很小，并且交越时未发现相位裕量问题。事实上，从整体上看，这幅图显示非常怪异，因为交越频率小于0.001 Hz。



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