海飞乐技术现货替换IXTN400N15X4场效应管

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海飞乐技术现货替换IXTN400N15X4场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 400 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 430 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
系列: X4-Class
商标: IXYS
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 180 ns
典型接通延迟时间: 40 ns


虽然IGBT的传导损耗较小，但大多数600V IGBT都是PT（Punch Through，穿透）型器件。PT器件具有NTC（负温度系数）特性，不能并联分流。或许，这些器件可以通过匹配器件VCE（sat）、VGE（TH）（栅射阈值电压）及机械封装以有限的成效进行并联，以使得IGBT芯片们的温度可以保持一致的变化。相反地，MOSFET具有PTC（正温度系数），可以提供良好的电流分流。
关断损耗——问题尚未结束
在硬开关、钳位感性电路中，MOSFET的关断损耗比IGBT低得多，原因在于IGBT的拖尾电流，这与清除图1中PNP BJT的少数载流子有关。图7显示了集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff，其曲线在大多数IGBT数据表中都有提供。 这些曲线基于钳位感性电路且测试电压相同，并包含拖尾电流能量损耗。
图7：本图表显示集电极电流ICE和结温Tj的函数Eoff
图2显示了用于测量IGBT Eoff的典型测试电路，它的测试电压，即图2中的VDD，因不同制造商及个别器件的BVCES而异。在比较器件时应考虑这测试条件中的VDD，因为在较低的VDD钳位电压下进行测试和工作将导致Eoff能耗降低。

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