海飞乐技术现货替换IXFH340N075T2场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFH340N075T2场效应管

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 340 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 300 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 935 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFH340N075  
晶体管类型: 1 N-Channel  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 65 S  
下降时间: 35 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 50 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 60 ns  
典型接通延迟时间: 26 ns  
单位重量: 1.600 g

沟道的选择。为设计选择正确器件的--步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电 压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

稳态特性总结
-- 门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态;当VgsVth时，器件处于导通状态;器件的通态电阻与Vgs有关，Vgs大，通态电阻小;多数器件的Vgs为 12V-15V ，额定值为+-30V;
-- 器件的漏极电流额定是用它的有效值或平均值来标称的;只要实际的漏极电流有效值没有超过其额定值，保证散热没问题，则器件就是安全的;
-- 器件的通态电阻呈正温度系数，故原理上很容易并联扩容，但实际并联时，还要考虑驱动的对称性和动态均流问题;
-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保证漏源通态电阻很小;
-- 器件的同步整流工作状态已变得愈来愈广泛，原因是它的通态电阻非常小(目前-小的为2-4 毫欧)，在低压大电流输出的DC/DC 中已是-关键的器件;


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