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海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管

2020-3-19 16:15:07 570

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 850 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 152 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 890 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 19 S 下降时间: 14 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 30 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 69 ns 典型接通延迟时间: 27 ns 单位重量: 38 g 自从德州仪器工程师Jack S. Kilby在1958年发表了全球首款集成电路以来，科技产业就开进了发展的的快车道，大型机、PC、笔记本和手机等设备先后面世，各种电子终端也纷纷亮相，人类生活也在这些设备的影响下发生了翻天覆地的变化。但无论是终端的开发者还是上游的芯片供应商，对未来的期待并不止于此。在过去的几十年内，他们相互相成、相互促进，推动整个电子产业自上如下的进步，尤其是上游的芯片产业，在摩尔定律的指导下，他们的时钟频率有了指数级的增长。以Intel为例，他们1971年推出的--款处理器4004的主频只有108KHZ，但他们-近推出的第八代处理器主频已经提高到4.2GHz，这样的提升给终端带来太多的想象空间，但也给相关厂商带来更大的挑战。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-19 16:15:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1141 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 856 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N50P场效应管 1050 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 665 • 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管 435 • 海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管 813 • 海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管 536 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 471 • 海飞乐技术现货替换IXFH36N60P场效应管 491 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 449