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海飞乐技术现货替换IXTP100N15X4场效应管

2020-3-10 17:53:01 583

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTP100N15X4场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 150 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Qg-栅极电荷: 74 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 175 C Pd-功率耗散: 375 W 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 系列: X4-Class 商标: IXYS 下降时间: 10 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 7 ns 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 120 ns 典型接通延迟时间: 18 ns 体二极管失效预防措施：其实有那个体二极管，在大部分时候都不碍事，而且有时候还有好处，比如用在H桥上，省得并二极管了。当然也有碍事的时候，那就用两个MOS管头顶头或者尾对尾串联起来就可以了。那个二极管是工艺决定的，也不必太在意，接受它的存在就好了。还有，多说两句，其实MOS管的D和S本质上是对称的结构，只是沟道的两个接点。但是由于沟道的开启和关闭涉及到栅极和衬底之间的电场，那么就需要给衬底一个确定的电位。又因为MOS管只有3个管脚，所以需要把衬底接到另外两个管脚之一。那么接了衬底的管脚就是S了，没接衬底的管脚就是D，我们应用时，S的电位往往是稳定的。在集成电路中，比如CMOS中或者还有模拟开关中，由于芯片本身有电源管脚，所以那些MOS管的衬底并不和管脚接在一起，而是直接接到电源的VCC或者VEE，这时候D和S就没有任何区别了。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-10 17:53:01　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXTP150N15X4场效应管 951 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 661 • 海飞乐技术现货替换IXTN400N15X4场效应管 555 • 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管 579 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 683 • 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管 447 • 海飞乐技术现货替换IXFP130N15X3场效应管 534 • 海飞乐技术现货替换IXTP140N12T2场效应管 743 • 海飞乐技术现货替换IXFH100N30X3场效应管 1172 • 海飞乐技术现货替换IXFN100N65X2场效应管 413