海飞乐技术现货替换IXFN520N075T2场效应管

`

海飞乐技术现货替换IXFN520N075T2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 480 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 545 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 940 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: IXFN520N075  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: TrenchT2 GigaMOS HiperFet  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 65 S  
下降时间: 35 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 36 ns  
工厂包装数量: 10  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 80 ns  
典型接通延迟时间: 48 ns  
单位重量: 30 g

对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。
由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。
比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构。
当CGS＞VTH时，被电场反型而产生的N型导电沟道形成。源极区的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOSFET将明显降低。
通过以上分析可以看到：阻断电压与导通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与导通电阻功能分开，解决了阻断电压与导通电阻的矛盾，同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结，在相同的N-掺杂浓度时，阻断电压还可进一步提高。

`