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海飞乐技术现货替换IXFX32N80Q3场效应管 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 800 V Id-连续漏极电流: 32 A Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Qg-栅极电荷: 140 nC -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 1 kW 配置: Single 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: IXFX32N80 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 产品类型: MOSFET 上升时间: 300 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 单位重量: 38 g MOS管导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 Mos管的结构特点 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 ` |
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