海飞乐技术现货替换IXFP56N30X3场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFP56N30X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 56 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 56 nC
Pd-功率耗散: 320 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: HiPerFET
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 26 S
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 21 ns

功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：
（1）温升和热设计是选取封装-基本的要求
不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
有时候由于其他条件的限制，需要使用多个MOSFET并联的方式来解决散热的问题，如在PFC应用、电动汽车电机控制器、通信系统的模块电源次级同步整流等应用中，都会选取多管并联的方式。
如果不能采用多管并联，除了选取性能更优异的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封装或新型封装，例如在一些AC/DC电源中将TO220改成TO247封装；在一些通信系统的电源中，采用DFN8*8的新型封装。

（2）系统的尺寸限制
有些电子系统受制于PCB的尺寸和内部的高度，如通信系统的模块电源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封装；在有些ACDC的电源中，使用超薄设计或由于外壳的限制，装配时TO220封装的功率MOSFET管脚直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封装。
有些超薄设计直接将器件管脚折弯平放，这种设计生产工序会变复杂。
在大容量的锂电池保护板的设计中，由于尺寸限制极为苛刻，现在大多使用芯片级的CSP封装，尽可能的提高散热性能，同时保证-小的尺寸。

（3）成本控制
早期很多电子系统使用插件封装，这几年由于人工成本增加，很多公司开始改用贴片封装，虽然贴片的焊接成本比插件高，但是贴片焊接的自动化程度高，总体成本仍然可以控制在合理的范围。在台式机主板、板卡等一些对成本极其敏感的应用中，通常采用DPAK封装的功率MOSFET，因为这种封装的成本低。
因此在选择功率MOSFET的封装时，要结合自己公司的风格和产品的特点，综合考虑上面因素。
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