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海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管

2020-3-9 15:32:12 888

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 150 A Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 150 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 735 W 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 60 S 下降时间: 10 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 30 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 115 ns 典型接通延迟时间: 30 ns 到底什么是雪崩失效呢，简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间，导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。雪崩失效的预防措施：雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理： 1）合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取； 2）合理的变压器反射电压； 3）合理的RCD及TVS吸收电路设计； 4）大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感； 5）选择合理的栅极电阻Rg； 6）在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-9 15:32:12　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N25X3场效应管 489 • 海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管 602 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 571 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1141 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 665 • 海飞乐技术现货替换IXFH180N20X3场效应管 571 • 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管 1090 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 808 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 856 • 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管 435