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海飞乐技术现货替换IXFH180N20X3场效应管

2020-3-13 09:45:50 568

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH180N20X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 140 A Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 127 nC Pd-功率耗散: 480 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 55 S 下降时间: 12 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 130 ns 典型接通延迟时间: 28 ns 电源IC直接驱动是我们-常用的驱动方式，同时也是-简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。--，查看一下电源IC手册，其-大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图 1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-13 09:45:50　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH90N20X3场效应管 758 • 海飞乐技术现货替换IXFH220N20X3场效应管 796 • 海飞乐技术现货替换IXFH140N20X3场效应管 536 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 887 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 569 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1138 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 663 • 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管 1086 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 807 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 855