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海飞乐技术现货替换IXTH80N65X2场效应管

2020-3-5 11:07:30 1509

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTH80N65X2场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 650 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V Qg-栅极电荷: 137 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 890 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 下降时间: 7 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 11 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 72 ns 典型接通延迟时间: 36 ns 为高速开关应用设计高性能栅极驱动电路的系统性应用非常重要。可通过以下分步核对表总结此过程：在完成功率级设计并选择电源组件后，开始栅极驱动设计过程。采集所有相关的工作参数。具体来说，包括基于应用要求的功率MOSFET的电压和电流应力、工作结温度以及与功率MOSFET周围外部电路相关的dv/dt和di/dt极限，这些参数通常由功率级的不同阻尼器或谐振电路决定。估算用于描述实际应用电路中功率半导体的寄生分量值的所有器件参数。数据表中列出的值通常是在不现实的室温测试条件下产生中，必须相应地进行修正。这些参数包括器件电容、总栅极电荷、RDS(on) 、阈值电压、米勒平坦区域电压、内部栅极网状电阻等。应优先考虑以下要求：性能、印刷电路板大小、目标成本等。然后选择符合功率级拓扑的合适栅极驱动电流。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-5 11:07:30　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXTH62N65X2场效应管 553 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管 791 • 海飞乐技术现货替换IXFN100N65X2场效应管 404 • 海飞乐技术现货替换IXFP80N25X3场效应管 334 • 海飞乐技术现货替换IXTH16P60P场效应管 654 • 海飞乐技术现货替换IXTH48P20P场效应管 680 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 653 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 471 • 海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管 814 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 571