海飞乐技术现货替换IXFN38N100Q2场效应管

` 海飞乐技术封装的1000V大功率MOS代替IXYS大功率MOS。选择好MOS管器件的--步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

海飞乐技术现货替换IXFN38N100Q2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 38 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN38N100
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 57 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 30 g

什么是MOSFETMOSFET的原意是：MOS（metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示，它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型通常称P沟道型。由图1可看出，对于N沟道型的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P 沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压(或称场电压)控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
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