海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 220 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 204 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 155 C
Pd-功率耗散: 390 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 204 nC
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 37 ns

当设计一个电源系统的时候，已知条件有：输入电压范围、输出电压/输出电流、效率、工作频率、驱动电压，当然还有其他的技术指标和功率MOSFET相关的主要是这些参数。步骤如下：
（1）根据输入电压范围、输出电压/输出电流、效率，计算系统的-大损耗。
（2）功率回路的杂散损耗，非功率回路元件的静态损耗，IC的静态损耗以及驱动损耗，做大致的估算，经验值可以占总损耗的10%～15%。
如果功率回路有电流取样电阻，计算电流取样电阻的功耗。总损耗减去上面的这些损耗，剩下部分就是功率器件、变压器或电感的功率损耗。
将剩下的功率损耗按一定的比例分配到功率器件和变压器或电感中，不确定的话，按元件数目平均分配，这样就得到每个MOSFET的功率损耗。
（3）将MOSFET的功率损耗，按一定的比例分配给开关损耗和导通损耗，不确定的话，平均分配开关损耗和导通损耗。
（4）由MOSFET导通损耗和流过的有效值电流，计算-大允许的导通电阻，这个电阻是MOSFET在-高工作结温的RDSON。


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