海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 60 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 50 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 320 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X3-Class
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 30 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 1.800 g
功率MOSFET的结构和工作原理

功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，但 结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

栅极电压失效的预防措施：
栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位，RC箝位或RC抑制电路等保护措施。


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