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海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管

2020-3-11 18:06:07 1086

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: To-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 72 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 82 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 390 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 36 S 下降时间: 11 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 25 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 86 ns 典型接通延迟时间: 22 ns 电力场效应管的静态特性和主要参数 Power MOSFET静态特性主要指输出特性和转移特性，与静态特性对应的主要参数有漏极击穿电压、漏极额定电压、漏极额定电流和栅极开启电压等。 1、静态特性（1）输出特性输出特性即是漏极的伏安特性。特性曲线，如图2(b)所示。由图所见，输出特性分为截止、饱和与非饱和3个区域。这里饱和、非饱和的概念与GTR不同。饱和是指漏极电流ID不随漏源电压UDS的增加而增加，也就是基本保持不变；非饱和是指地UCS一定时，ID随UDS增加呈线性关系变化。（2）转移特性转移特性表示漏极电流ID与栅源之间电压UGS的转移特性关系曲线，如图2(a)所示。转移特性可表示出器件的放大能力，并且是与GTR中的电流增益β相似。由于Power MOSFET是压控器件，因此用跨导这一参数来表示。跨导定义为（1）图中UT为开启电压，只有当UGS=UT时才会出现导电沟道，产生漏极电流ID。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-11 18:06:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1138 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 807 • 海飞乐技术现货替换IXFH100N30X3场效应管 1163 • 海飞乐技术现货替换IXFP72N30X3场效应管 877 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 888 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 569 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 663 • 海飞乐技术现货替换IXFH180N20X3场效应管 570 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 855 • 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管 433