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海飞乐技术现货替换IXFQ60N25X3场效应管

2020-3-20 17:01:53 912

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFQ60N25X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 符合技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 60 A Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 50 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 320 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: X3-Class 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 30 S 下降时间: 7 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 10 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 62 ns 典型接通延迟时间: 18 ns 单位重量: 5.500 g 动态性能的改进在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外，还必须掌握在应用中如何保护器件，不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合，又加上因大面积带来的大电容，所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说，它还存在一个导通区的扩展问题，所以也带来相当严格的限制。功率MOSFET的情况有很大的不同。它的dv/dt及di/dt的能力常以每纳秒（而不是每微秒）的能力来估量。但尽管如此，它也存在动态性能的限制。这些我们可以从功率MOSFET的基本结构来予以理解。图4是功率MOSFET的结构和其相应的等效电路。除了器件的几乎每一部分存在电容以外，还必须考虑MOSFET还并联着一个二极管。同时从某个角度看、它还存在一个寄生晶体管。（就像IGBT也寄生着一个晶闸管一样）。这几个方面，是研究MOSFET动态特性很重要的因素。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-20 17:01:53　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 471 • 海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管 1007 • 海飞乐技术现货替换IXFQ140N20X3场效应管 662 • 海飞乐技术现货替换IXFQ90N20X3场效应管 585 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 888 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N25X3场效应管 363 • 海飞乐技术现货替换IXFP80N25X3场效应管 334 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N25X3场效应管 489 • 海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管 601 • 海飞乐技术现货替换IXFN220N20X3场效应管 650