海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 170 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 434 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.17 kW
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: 650V Ultra Junction X2
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 55 S
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 133 ns
典型接通延迟时间: 60 ns

1、MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易**。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于**工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
为了满足如图 5所示高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动，有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。

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