海飞乐技术现货替换IXTN240N075L2场效应管

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海飞乐技术现货替换IXTN240N075L2场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Id-连续漏极电流: 225 A
Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 546 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 735 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: Linear L2
封装: Tube
产品: Power MOSFET Modules
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 60 S
下降时间: 47 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 200 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 136 ns
典型接通延迟时间: 34 ns

在比较额定值为600V的器件时，IGBT的传导损耗一般比相同芯片大小的600V MOSFET少。这种比较应该是在集电极和漏极电流密度可明显感测，并在指明-差情况下的工作结温下进行的。例如，FGP20N6S2 SMPS2 IGBT和FCP11N60 SuperFET均具有1℃/W的RθJC值。图4显示了在125℃的结温下传导损耗与直流电流的关系，图中曲线表明在直流电流大于2.92A后，MOSFET的传导损耗更大。
不过，图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM（连续电流模式）、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线相交点为2.65A RMS。对PFC电路而言，当交流输入电流大于2.65A RMS时，MOSFET具有较大的传导损耗。2.65A PFC交流输入电流等于MOSFET中由公式2计算所得的2.29A RMS。MOSFET传导损耗、I2R，利用公式2定义的电流和MOSFET 125℃的RDS（on）可以计算得出。把RDS（on）随漏极电流变化的因素考虑在内，该传导损耗还可以进一步精确化，这种关系如图6所示。
一篇名为“如何将功率MOSFET的RDS（on）对漏极电流瞬态值的依赖性包含到高频三相PWM逆变器的传导损耗计算中”的IEEE文章描述了如何确定漏极电流对传导损耗的影响。作为ID之函数，RDS（on）变化对大多数SMPS拓扑的影响很小。例如，在PFC电路中，当FCP11N60 MOSFET的峰值电流ID为11A——两倍于5.5A（规格书中RDS（on）的测试条件）时，RDS（on）的有效值和传导损耗会增加5％。
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