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海飞乐技术现货替换IXFK150N30X3场效应管

2020-3-5 11:04:07 1483

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFK150N30X3场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-264-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 150 A Rds On-漏源导通电阻: 8.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Qg-栅极电荷: 254 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 890 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 70 S 下降时间: 14 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 32 ns 工厂包装数量: 25 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 187 ns 典型接通延迟时间: 40 ns 下面对MOS失效的原因总结以下六点： 1）雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效； 2）SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效； 3）体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效； 4）谐振失效：在并联使用的过程中，栅极及电路寄生参数导致震荡引起的失效； 5）静电失效：在秋冬季节，由于人体及设备静电而导致的器件失效； 6）栅极电压失效：由于栅极遭受异常电压尖峰，而导致栅极栅氧层失效。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-5 11:04:07　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH150N25X3场效应管 897 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1148 • 海飞乐技术现货替换IXFH72N30X3场效应管 1099 • 海飞乐技术现货替换IXFP56N30X3场效应管 684 • 海飞乐技术现货替换IXFH120N30X3场效应管 819 • 海飞乐技术现货替换IXFH100N30X3场效应管 1171 • 海飞乐技术现货替换IXFP72N30X3场效应管 891 • 海飞乐技术现货替换IXFN210N30X3场效应管 641 • 海飞乐技术现货替换IXTP150N15X4场效应管 950 • 海飞乐技术现货替换IXFP60N25X3场效应管 1015