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海飞乐技术现货替换IXFP90N20X3M场效应管 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 200 V Id-连续漏极电流: 90 A Rds On-漏源导通电阻: 12.8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V Qg-栅极电荷: 78 nC Pd-功率耗散: 36 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 40 S 下降时间: 13 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 26 ns 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 62 ns 典型接通延迟时间: 22 ns MOS管驱动 跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压高于一定的值,就可以了。这个很容易做到,但是,我们还需要速度。 在MOS管的结构中可以看到,在GS,GD之间存在寄生电容,而MOS管的驱动,实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流,因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路,所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时--要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 电力场效应管的结构和工作原理 电力场效应晶体管种类和结构有许多种,按导电沟道可分为P沟道和N沟道,同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中,主要应用N沟道增强型。 电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同,但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件,导电沟道平行于芯片表面,横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。 这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析: Vl和Vh分别是低端和高端的电源,两个电压可以是相同的,但是Vl不应该超过Vh。 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱,用来实现隔离,同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。 R2和R3提供了PWM电压基准,通过改变这个基准,可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。 Q3和Q4用来提供驱动电流,由于导通的时候,Q3和Q4相对Vh和GND-低都只有一个Vce的压降,这个压降通常只有0.3V左右,大大低于0.7V的Vce。 R5和R6是反馈电阻,用于对gate电压进行采样,采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈,从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。 -后,R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制,R4提供了对MOS管的gate电流限制,也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。 ` |
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