海飞乐技术现货替换IXFP38N30X3M场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFP38N30X3M场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 38 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
Pd-功率耗散: 34 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 20 ns
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 23 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 19 ns


现在的MOS驱动，有几个特别的应用
　　1、低压应用
　　当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际-终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
　　同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
　　2、宽电压应用
　　输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
　　为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
　　同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
　　3、双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
　　这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
　　在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。


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