海飞乐技术现货替换IXFP72N20X33场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFP72N20X33场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 72 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 55 nC
Pd-功率耗散: 320 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: HiPerFET
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 30 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 78 ns
典型接通延迟时间: 23 ns


栅极电压失效的预防措施：
栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管。特别要注意防止栅极开路工作。其次是漏极间的过电压防护。如果电路中有电感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比电源电压高的多的漏极电压过冲，导致器件损坏。应采取稳压管箝位，RC箝位或RC抑制电路等保护措施。

MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因，使用方面：
1）静电损坏，初期可能还象好管子一样开关，经过一段时间后会失效炸机，GDS全短路；
2）空间等离子损伤，轻者和静电损坏一样，重者直接GDS短路。大家要注意啊！放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调；
3）漏电损伤，多数情况下GDS全短路，个别会DS或GD断路；
4）过驱动，驱动电压超过18V后，经过一段时间使用会GDS全短；
5）使用负压关闭，栅加负压后，MOSFET抗噪能力加强，但DS耐压能力下降，不适当的负压，会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路；
6）栅寄生感应负压损坏，和不适当的负压驱动一样，只是该负压不是人为加上的，是由于线路寄生LC感应，在栅上感应生成负脉冲。


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