海飞乐技术现货替换IXFQ90N20X3场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFQ90N20X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 78 nC
Pd-功率耗散: 390 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 40 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 22 ns

MOSFET损坏主要有使用/品质工艺两方面原因，使用方面：
1）静电损坏，初期可能还象好管子一样开关，经过一段时间后会失效炸机，GDS全短路；
2）空间等离子损伤，轻者和静电损坏一样，重者直接GDS短路。大家要注意啊！放MOSFET或IGBT/COMS器件的地方千万别用负离子发生器或有此功能的空调；
3）漏电损伤，多数情况下GDS全短路，个别会DS或GD断路；
4）过驱动，驱动电压超过18V后，经过一段时间使用会GDS全短；
5）使用负压关闭，栅加负压后，MOSFET抗噪能力加强，但DS耐压能力下降，不适当的负压，会导致DS耐压不够而被击穿损坏而GDS短路；
6）栅寄生感应负压损坏，和不适当的负压驱动一样，只是该负压不是人为加上的，是由于线路寄生LC感应，在栅上感应生成负脉冲。

这个电路提供了如下的特性：
　　1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
　　2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
　　3，gate电压的峰值限制
　　4，输入和输出的电流限制
　　5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
　　6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。



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