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海飞乐技术现货替换IXFH100N30X3场效应管 制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 13.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V Qg-栅极电荷: 122 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 480 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 48 S 下降时间: 14 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 30 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 144 ns 典型接通延迟时间: 29 ns 作为开关电源工程师,会经常碰到电源板上MOSFET无法正常工作,首先,要正确测试判断MOSFET是否失效,然后关键是要找到失效背后的原因,并避免再犯同样的错误,本文整理了常见的MOSFET失效的几大原因,以及如何避免失效的具体措施。 用万用表简单检测MOS管是否完好 测试MOS好坏用指针式万用表方便点,测试时选择欧姆R×10K档,这时电压可达10.5V,红笔是负电位,黑笔是正电位。 测试步骤: MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下: 1)把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象; 2)用一只100KΩ-200KΩ的电阻连在栅极和源极上,然后把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,这时表针指示的值一般是0,这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电,产生栅极电场,由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通,故万用表指针偏转,偏转的角度大,放电性越好; 3)把连接栅极和源极的电阻移开,万用表红黑笔不变,如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大,则MOS管漏电,不变则完好; 4)然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来,如果指针立即返回无穷大,则MOS完好。 ` |
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