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海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管

2020-3-14 17:22:22 567

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-227-4 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1000 V Id-连续漏极电流: 44 A Rds On-漏源导通电阻: 125 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 245 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 830 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: X-Class 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 23 S 下降时间: 9 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 13 ns 工厂包装数量: 10 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 107 ns 典型接通延迟时间: 34 ns 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入，MOSFET驱动芯片的内部结构。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-14 17:22:22　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 654 • 海飞乐技术现货替换IXFN90N85X场效应管 538 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SK场效应管 421 • 海飞乐技术现货替换IXFN50N120SIC场效应管 616 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 666 • 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管 436 • 海飞乐技术现货替换IXFN100N65X2场效应管 404 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 471 • 海飞乐技术现货替换IXFN38N100Q2场效应管 586 • 海飞乐技术现货替换IXFN170N65X2场效应管 791