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海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管

2020-3-14 18:14:20 446

0 ` 海飞乐技术现货替换IXFH32N100X场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1000 V Id-连续漏极电流: 32 A Rds On-漏源导通电阻: 220 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V Qg-栅极电荷: 130 nC -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 890 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商标名: HiPerFET 封装: Tube 系列: X-Class 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 14 S 下降时间: 12 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 12 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 29 ns Power MOSFET的关断过程：当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过电阻RS和RG放电，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到uGSP 继续下降，iD才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，uGS继续下降，iD也继续下降，到uGS< SPAN>T时导电沟道消失，iD=0，这段时间称为下降时间tf。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-14 18:14:20　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N100X场效应管 682 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 596 • 海飞乐技术现货替换IXFH30N85X场效应管 1149 • 海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管 867 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 661 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N50P场效应管 1068 • 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管 579 • 海飞乐技术现货替换IXFH36N60P场效应管 503 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 460 • 海飞乐技术现货替换IXFH100N30X3场效应管 1171