[经验]

【RA4M2-SENSOR】+Memory读写测试及观察

jinglixixi

2025-9-30 23:00:49

8766 RA4M2

RA4M2-SENSOR开发板允许对Memory存储器进行读写，而Memory存储器则包括Code Flash、Data Flash及SRAM。

对于RA4M2-SENSOR 开发板来说，其芯片型号为R7FA4M2AD3CFL。它的分为两块，一块大小为8Kb，另一块为32Kb，见图1所示。

图1 flash存储空间大小

对于code flash来说，其存储区域划分见图2所示。

图2 存储区域划分

为进行code flash读写测试，需使用RASC按图3进行配置并生成KEIL项目工程。

图3 配置处理

在完成配置并生成项目工程后，需为读写code flash添加以下函数：

void FLASH_Init(void)
{
	err = R_FLASH_HP_Open(&g_flash0_ctrl,&g_flash0_cfg);
	assert(err == FSP_SUCCESS);
}

void Code_FLASH_Test(void)
{
	err = FSP_SUCCESS;
	uint8_t *p = CODE_FLASH_TEST_ADDR;
	for(uint8_t i = 0;i < CODE_FLASH_TEST_NUM;i++)
	{
		write_buffer[i] = i;
		printf("buffer[ %d ]= %d \n\r",i,write_buffer[i] );	
	}
	
	// 擦除，在写入新数据前必须擦除
	printf("Erase start\n\r");
	__disable_irq();				//关闭所有中断
	err = R_FLASH_HP_Erase(&g_flash0_ctrl,CODE_FLASH_TEST_ADDR,1);  //0x00078000地址开始，擦除一个块
	assert(err == FSP_SUCCESS);
        __enable_irq();

	// 写入新数据
	printf("write start\n\r");
	__disable_irq();
        err = R_FLASH_HP_Write(&g_flash0_ctrl, (uint32_t)write_buffer, CODE_FLASH_TEST_ADDR, CODE_FLASH_TEST_NUM);
	assert(err == FSP_SUCCESS);
        __enable_irq();
	
	// 读取指定地址的数据
	printf("read start\n\r");
	for(uint8_t i = 0;i < CODE_FLASH_TEST_NUM;i++)
	{
		read_buffer[i] = *(p + i);
		printf("buffer[ %d ]= %d \n\r",i,read_buffer[i] );	
	}
	
	// 对比写入和读取的数据
	if (0 == memcmp(read_buffer, write_buffer, CODE_FLASH_TEST_NUM))
	{
		printf("Data consistency\n\r");		//数据一致，读写正确
	}
	else
	{
		printf("Data inconsistency\n\r");		//数据不一致
		while(1);
	}
}

读写测试的主程序为：

void hal_entry(void)
{
	   err = R_SCI_UART_Open(&g_uart9_ctrl, &g_uart9_cfg);
       assert(FSP_SUCCESS == err);	
	   FLASH_Init();
	   pritf("FLASH test: \n\r");
	   Code_FLASH_Test();			 
	   while(1);
}

经程序的编译和下载，其程序的测试结果如图4至图6所示。