STT-MRAM技术的优点有哪些？

2372 MRAM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 STT-MRAM技术的优点 0
2020-12-16 06:17:44　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报李丽波相关推荐 • STT-MRAM存储技术，你想知道的都在这 2465 • Eversipn STT-MRAM的MJT细胞介绍 1228 • STT-MRAM万能存储器芯片解析 1984 • 萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案 889 • 具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能 2033 • 5nm节点上为什么STTMRAM比SRAM更好？ 1995 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1476 • everspin自旋转矩MRAM技术解析 1671 • 嵌入式STT MRAM磁隧道结阵列的进展 2045 • 如何才能让嵌入式 STT MRAM磁隧道结阵列的加工成为可能？ 1816 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　到目前为止，设计人员可以使用的存储技术是易变的，这意味着在断电后，存储器中的数据内容会丢失。但是，随着EVERSPIN Technologies推出256Mb STT-MRAM，系统现在可以拥有像DRAM这样具有高性能的内存，但可以提供持久的非易失性数据存储。　　　　图1：STT-MRAM 　　STT-MRAM代表自旋转移转矩磁阻随机存取存储器。写入STT-MRAM设备的任何数据本来就是持久的，不需要任何电池或超级电容器。通过写入存储阵列来捕获数据，该存储阵列可利用极化电流控制电子自旋。 STT-MRAM的性能类似于DRAM，但不需要刷新。当前可用的接口是ST-DDR3，它与标准JEDEC DDR3非常相似。将来还将提供ST-DDR4接口，从而带来更高的速度和更大的容量。

2020-12-16 15:15:56 评论举报苏畅

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　STT-MRAM技术的一些优点是：　　•非易失性数据　　•性能特征类似于DRAM 　　记忆　　•十亿次以上的数据耐久性　　•DDR3兼容封装和未来的DDR4 　　兼容的脚印　　•ST-DDR3接口和将来的ST-DDR4接口　　•字节读写（无块）　　STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型非易失性磁随机存储器，是磁性存储器MRAM 的二代产品。STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ，由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成，它是通过自旋电流实现信息写入的

2020-12-16 15:16:12 评论举报冯金妮