everspin自旋转矩MRAM技术解析

1342 everspin MRAM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 everspin自旋转矩MRAM技术 0
2020-12-25 07:53:15　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报王斌相关推荐 • STT-MRAM技术的优点有哪些？ 2017 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1133 • everspin最新1Gb容量扩大MRAM的吸引力 1155 • 为什么MRAM适合航空航天应用？ 2260 • EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术解析 2100 • STT-MRAM万能存储器芯片解析 1662 • 如何用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案 1405 • MRAM的存储原理解析 1590 • MRAM演示软件分析 1303 • everspin生态系统和制造工艺创新解析 1372 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（free layer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。 everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。与Toggle MRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量，并且具有高度可扩展性，从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计，可提供长数据保留，小单元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。 1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一种类似于JEDEC的DDR4接口，需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。这些产品的性能类似于持久性DRAM，但无需刷新。计划开发其他产品，这些产品将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。

2020-12-25 14:31:25 评论举报颜立歆