Eversipn STT-MRAM的MJT细胞介绍

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问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 Eversipn STT-MRAM的MJT细胞 0
2021-2-24 07:28:54　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报陈洁相关推荐 • STT-MRAM存储技术，你想知道的都在这 2004 • STT-MRAM技术的优点有哪些？ 2019 • 萌新求助，求一个基于嵌入式STT-MRAM的架构方案 614 • STT-MRAM万能存储器芯片解析 1663 • 具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能 1648 • 5nm节点上为什么STTMRAM比SRAM更好？ 1633 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1134 • 嵌入式STT MRAM磁隧道结阵列的进展 1709 • 如何才能让嵌入式 STT MRAM磁隧道结阵列的加工成为可能？ 1494 • everspin自旋转矩MRAM技术解析 1345 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。　　　　图1.STT-MRAM的MJT细胞　　Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。　　STT-MRAM是具有磁隧道结（MTJ）存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。　　为此STT-MRAM正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用于L3缓存。STT-MRAM正在不断发展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的单元尺寸，更低的待机功率要求和非易失性提供了一个引人注目的价值主张，针对用作通用板载存储器和最后级别的大得多且易变的SRAM缓存。　　但STT-MRAM的速度还不足以取代SRAM用于L1和/或L2缓存，还包括稳定性。我们相信STT-MRAM，访问时间将在5ns到10ns之间饱和。当你进入L1和L2缓存时，我们相信你需要去SOT-MRAM。　　类似于STT-MRAM，SOT-MRAM仍处于研发阶段。不同之处在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT层。根据Imec，它通过在相邻的SOT层中注入面内电流来引起层的切换。　　当你切换STT-MRAM，需要通过MTJ推动当前，在内存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有两条路径，一条用于写入，另一条用于读取。读取就像STT。你通读了MTJ。写不是通过MTJ。这是一个很大的好处，因为您可以循环设备并对其进行优化以延长使用寿命。第二大优势是速度。

2021-2-24 11:43:52 评论举报雷友水