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海飞乐技术现货替换IXTQ22N60P场效应管

2020-4-1 16:21:55 557

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTQ22N60P场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-3P-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 22 A Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 400 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 封装: Tube 高度: 20.3 mm 长度: 15.8 mm 系列: IXTQ22N60 晶体管类型: 1 N-Channel 宽度: 4.9 mm 商标: IXYS 正向跨导 - -小值: 21 S 下降时间: 23 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 20 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 60 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 单位重量: 5.500 g 功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通，也可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。此工作状态称为MOSFET 的同步整流工作，是低压大电流输出开关电源中非常重要的一种工作状态。雪崩失效的预防措施雪崩失效归根结底是电压失效，因此预防我们着重从电压来考虑。具体可以参考以下的方式来处理。 1：合理降额使用，目前行业内的降额一般选取80%-95%的降额，具体情况根据企业的保修条款及电路关注点进行选取。 2：合理的变压器反射电压。 3：合理的RCD及TVS吸收电路设计。 4：大电流布线尽量采用粗、短的布局结构，尽量减少布线寄生电感。 5：选择合理的栅极电阻Rg。 6：在大功率电源中，可以根据需要适当的加入RC减震或齐纳二极管进行吸收。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-4-1 16:21:55　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXFH36N60P场效应管 503 • 海飞乐技术现货替换IXTH16P60P场效应管 664 • 海飞乐技术现货替换IXFQ50N60X场效应管 486 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N50P场效应管 1068 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 460 • 海飞乐技术现货替换IXTH48P20P场效应管 687 • 海飞乐技术现货替换IXFN70N100X场效应管 660 • 海飞乐技术现货替换IXFP20N85X场效应管 821 • 海飞乐技术现货替换IXFH50N85X场效应管 596 • 海飞乐技术现货替换IXFN52N100X场效应管 579