海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  详细信息  
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.75 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 92 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 21.46 mm  
长度: 16.26 mm  
系列: HiPerFET  
晶体管类型: 1 N-Channel  
类型: Polar HiPerFET Power MOSFET  
宽度: 5.3 mm  
商标: IXYS  
正向跨导 - -小值: 3 S  
下降时间: 14 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 11 ns  
工厂包装数量: 30  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 60 ns  
典型接通延迟时间: 24 ns  
单位重量: 1.600 g

这里就用MOSFET代替BJT了，所以ids = ic，Vds=Vce，Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压，随着Ids电流越来越大，Vds电压终于保持不住，开始下降。直到管子完全开启。比较详细的开启过程是由Miller Plateau造成的，这里借用了网上一些解释Miller Plateau的图，如果有不清楚的就请见谅了。
　　阶段1，Vgs 《 Vth，管子是关断的，所以Ids = 0，Vds=high，ig充电Cgs。
　　阶段2，Vgs 》 Vth，管子开启，Ids从0增加到iL被外部电流源电感钳住，Coss（Cds）上电压不能突变，保持Vds。
　　阶段3，进入Miller plateau，Vgs 》 Vth，管子仍然保持开启，Coss开始discharge，Vds电压开始下降，于此同时Cgd开始被ig充电。Vg保持不变。
　　阶段4，Vd下降到接近0点，ig继续给ig充电Cgs和Cgd充电。
　　阶段5，Vg到达gate driver预定的电压，管子开启过程完成。
　　关断过程和开启过程类似，也会有Miller plateau效应。

沟道的选择。为设计选择正确器件的--步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电 压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。


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