海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFH40N85X场效应管
VGS（TH）（-大）@标识:        5.5V @ 4mA
:        30V
技术:        MOSFET (metal Oxide)
RDS（ON）（-大值）@标识，栅极电压:        145 mOhm @ 500mA, 10V
功率耗散（-大）:        860W (Tc)
包:        TO-247
工作温度:        -55C ~ 150C (TJ)
安装类型:        Through Hole
:        3700pF @ 25V
:        98nC @ 10V
FET型:        N-Channel
:        10V
漏极至源极电压（Vdss）:        850V
:        40A (Tc)

主要参数
（1）漏极击穿电压BUD
BUD是不使器件击穿的极限参数，它大于漏极电压额定值。BUD随结温的升高而升高，这点正好与GTR和GTO相反。
（2）漏极额定电压UD
UD是器件的标称额定值。
（3）漏极电流ID和IDM
ID是漏极直流电流的额定参数；IDM是漏极脉冲电流幅值。
（4）栅极开启电压UT
UT又称阀值电压，是开通Power MOSFET的栅-源电压，它为转移特性的特性曲线与横轴的交点。施加的栅源电压不能太大，否则将击穿器件。
（5）跨导gm
gm是表征Power MOSFET 栅极控制能力的参数。


测试步骤：
MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：
1）把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象；
2）用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和源极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好；
3）把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好；
4）然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。


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