海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管

`

海飞乐技术现货替换IXFH170N25X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 170 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 960 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 66 S
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g


1）电性能测试
对电路进行排查，结果显示失效样品的器件Q2引脚信号出现异常，该器件为N-Channel MOSFET，具体表现为：NG样品Q2的D极电位正常，但是对G极的反馈信号无动作。Q2不能正常工作致使电源电路的DC3.3V输出下降，该输出达不到设计要求，将会直接导致系统出现不能正常开机。
图1 正常样品与失效样品Q2 pin脚信号对比
2）外观检查和X-Ray透视
对样品进行外观检查和X-Ray透视对比，未发现任何异常。
3）动态性能测试
测试结果显示：VDS固定，当器件在VGS作用下，DS之间沟道打开，随着VGS增大，ID也会随之增大，NG样品在DS之间沟道打开后，出现ID突然下降至0的情况，对其进行加热，该功能性测试即可恢复正常，静置一段时间后，失效现象又会复现。出现上述现象的可能原因包括：a）Q2器件G与S之间存在漏电，导致加载在G端电压下降至不足以开启D与S之间的导电沟道；b）Q2器件D与S或者G与S之间存在开路。
4）C-SAM+切片+SEM
C-SAM测试结果显示NG样品固晶层分层明显；SEM确认了这一现象：1）失效批次样品的Q2固晶层出现明显的分层不良；2）失效批次样品的固晶层明显比正常批次样品厚。


`