【中科昊芯Core_DSC280025C开发板试用体验】+2.RAM工程与FLASH工程对比

前言

大家好，非常感谢电子发烧友与中科昊芯提供的DSC280025C开发板，这是一款DSP的开发板，基于RISC-V指令架构。

在开发DSP的芯片的时候，要分代码运行在RAM模式和FlASH模式。代码运行在RAM下，主要用于开发调试模式，优点是下载速度快，运行的也快，缺点是断电程序就丢失了。

若代码在FLASH下开发，下载稍微要耗时一点，当然断电代码也不会丢失，同样仿真器也是正常硬件仿真，但是断点只支持2个。程序运行稍慢一些，但是可以通用修饰语句，让某些函数加载到RAM里面，已达到运行提速的目的。

所以，通常开发DSP的时候，大家是先在RAM模式下开发运行，调试仿真，代码OK没有问题的时候，在把工程切换为FLASH，并下载。

RAM与FLASH工程对比

DSP的这种RAM和FLASH开发方式，在代码上有什么区别？这是我比较关心的问题。所以，不如直接建立两个工程，然后进行代码对比，找出差异。

其实写代码和做项目，我反而不着急，我主要想弄清楚底层运行逻辑，所以愿意花费一些时间在这上面，这与每个人的性格和习惯不一样，分别建立RAM和FLASH工程如下。

两个工程我都编译了，都是0 errors, 0 warnings。也没有写什么业务逻辑，全是编译器自己生成的工程和代码。

这里需要多说一句:

编译器自己就已经把这个芯片的外设库文件添加到工程里面了，用户只需要添加自己的代码就行。

通过与原厂咨询，IDE自动生成的外设库文件是最新版本的。建议用户直接使用，反而他们提供的参考例程代码里面的库文件是早期的版本。

所以，大家大胆的用起来吧，就用最新版本。

下面我开始对比两个工程之间的差异。

其实我以为是的是两个工程在源代码之间对比，肯定有一点差异的，也是或多或少的问题，但是万万没有想到，居然是一点都没有，仅仅是工程文件有一定的差异。

最主要的差异还是在.cproject文件中。倘若，我将Flash工程配置，改为RAM，连这点差异就消失了。

所以，通过这件事情，我觉的这款DSP的开发方式真的很简单，很方便。

学习方式推荐

其实，首次使用这颗芯片，最主要的还是IDE不太熟悉。开发工具使用不太顺手导致，所以，建议还是多看一下IDE的使用手册。

另外控制器迁移指南也需要读一下。

之前我就忽略了这个文档，当时我想的是，我是从零开始学习，所以不存在什么迁移、移植之类的。但是，经过和厂家技术支持的提点，我再重新看了下这个文档，有收获！所以这个文档很重要。

一些其他的知识

关于main函数运行之前，程序运行的机制.

在main函数之前，通过浏览代码，其执行了一个_init()的函数。

这里里面应该是将代码进行拷贝（在FLASH模式下）

关于主函数中的 Device_init ( ) 函数的内容。

这个函数主要是对FLASH初始化，系统时钟初始化，外设开启等，这些都是厂家编写好了的，我们直接使用即可。

那么问题来了，我们代码中，系统主频时是多少？用的是外部晶振来源？我也看了下我们的DSCF280025CPMS开发板，上面贴了一个20MHZ的无源晶振，所以是它？

非也!

从上述代码可以看出， 工程中的系统时钟确实是160MHZ，但是时钟来源确是内部振荡器，主频10MHZ，经过16倍频，达到外部系统的160MHZ。

所以，外部晶振是没有用上，也就是仅仅贴在板上。如果我们需要把外部晶振启用，所以还需要调整工程。

!

将原来的USE_PLL_SRC_INTOSC 注释掉，启用USE_PLL_SRC_XTAL

这样就可以正常启用外部晶振。

从程序中也能看到定义的外部晶振的主频时20MHZ，和实物也是能对应上的。

关于外设初始化

从代码中也是能看到，厂家的代码是将这款DSP的所有外设资源全部都开启了的。但是，我们在实际工程项目使用的时候，可以把我们没有用到的外设给关闭，比如I2S，LIN等等.

这样的好处是有利于减少主控芯片的功耗与发热。

从厂家提供的手册中也能窥探一二，减少电流如下，所以这事还是值得做。