MRAM演示软件分析

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2021-1-29 06:49:31　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报张帆相关推荐 • MRAM的存储原理解析 1590 • MRAM与FRAM技术对比分析 2028 • Eversipn STT-MRAM的MJT细胞介绍 984 • STT-MRAM技术的优点有哪些？ 2017 • mram芯片技术在汽车市场上的应用 1258 • STT-MRAM存储技术，你想知道的都在这 2002 • 嵌入式STT MRAM磁隧道结阵列的进展 1709 • MRAM关键工艺步骤介绍 1703 • everspin自旋转矩MRAM技术解析 1342 • 为什么MRAM适合航空航天应用？ 2259 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　MRAM演示软件分析　　MRAM低级驱动程序通过操作系统和调度程序集成到动力总成应用程序中。读写周期由系统时钟（300MHz）测量。图1＆2显示了针对动力总成应用的具有不同非易失性存储器接口的每个分区的读/写时间。这些表显示大多数读/写周期小于2ms。毫不奇怪，该表确认35ns并行接口以比40MHz串口串行mram更快的速率传输数据。　　　　Figure 1 SPI MRAM; CLK 40MHz 　　使用SPI MRAM时，由于微控制器的硬件延迟（缓冲区接收/发送，设置/清除标志，读/写存储器）以及MRAM和微控制器总线之间的同步，因此读周期要比写周期花费更长的时间，与并行MRAM类似，写入周期比读取周期要花费更长的时间。1＆2中显示的值包括硬件收发器，硬件延迟（收发器缓冲区，读/写存储器），LLD软件延迟以及MRAM与动力总成微控制器之间的同步。　　　　Figure 2 EBI MRAM; CLK 66.666MHz 　　我们用EBI和SPI接口设备验证了不同的动力总成工作模式。在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常，MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。而且，与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。

2021-1-29 13:53:09 评论举报刘桂英