MRAM与FRAM技术对比分析

2027 MRAM

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 MRAM与FRAM技术比较 0
2021-1-25 07:33:07　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报刘雪映相关推荐 • Lora和Zigbee无线通讯技术对比分析哪个好？ 1041 • 步进电机和伺服电机对比分析哪个好？ 1680 • 开关电源PWM与PFM对比分析哪个好？ 2774 • 步进电机与伺服电机对比分析 1589 • CPLD与FPGA对比分析哪个好？ 2374 • 视频标准核心技术对比分析哪个好 1340 • CCD和CMOS的技术有什么区别？对比分析哪个好？ 7533 • RK3399pro和Jetson Nano开发板对比分析哪个好？ 2365 • ARM与单片机对比分析哪个好？ 2043 • 铅酸电池和锂电池对比分析哪个好？ 36133 2个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　MRAM技术　　MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此MRAM可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（Write Cycle）是在电磁隧道结（MTJ）上方和下方的导线中产生脉冲电流的结果（见图1）。　　　　图1：磁性隧道结（MTJ）　　电流脉冲带来的相关H场会改变自由层的极化铁磁材料。这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩改变了MTJ的阻抗（见图2）。　　　　图2：MRAM磁性隧道结（MTJ）存储元件　　阻抗的这种变化表示数据的状态（“1”或“0”）。感应（读取周期）是通过测量MTJ的阻抗来实现的（图3）。MRAM器件中的读取周期是非破坏性的，并且相对较快（35ns）。读取操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。　　　　图3：MRAM读写周期

2021-1-25 14:09:55 评论举报颜婷

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　FRAM技术　　FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该架构采用铁电材料作为存储设备。这些材料的固有电偶极子在外部电场的作用下转换为相反极性。改变铁电极化态需要偶极子（位于氧八面体中的Ti4+离子）移动（在Pb（Zr，Ti）O3的情况下）对电场的响应（图4）。自由电荷或其他随时间和温度累积的离子缺陷会阻止这种运动，这些缺陷会导致偶极子随时间松弛，从而导致疲劳。　　　　图3：FRAM原子结构图4：FRAM数据状态　　FRAM中的读取操作具有破坏性，因为它需要切换极化状态才能感知其状态。在初始读取之后，读取操作必须将极化恢复到其原始状态，这会增加读取时间的周期。　　　　图5：FRAM读/写周期　　FRAM的读和写周期需要一个初始的“预充电”时间，这可能会增加初始访问时间。

2021-1-25 14:10:12 评论举报王蔚