everspin最新1Gb容量扩大MRAM的吸引力

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2021-1-1 06:29:30　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报王春美相关推荐 • 具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的产品化和优异的性能 1654 • everspin自旋转矩MRAM技术解析 1350 • 如何用MRAM和NVMe SSD构建未来的云存储的解决方案 1419 • EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术解析 2113 • RK3566+LPDDR3板子DDR容量大于1GB烧入失败是何原因 2743 • Xilinx FPGA控制器Everspin STT-DDR4的设计指南 1143 • MRAM演示软件分析 1318 • 为什么MRAM适合航空航天应用？ 2270 • 新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场分析 1351 • everspin生态系统和制造工艺创新解析 1382 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 　　everspin 提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。　　最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。　　低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC可更容易地设计兼容的DDR控制器。　　目前行业内已通过MRAM来部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模块，以及希捷在FMS2017上展示的原型。　　当然我们并不指望 mram 专用存储设备可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。毕竟市面上的混合型SSD，仍依赖于NAND闪存作为主要存储介质。　　作为与格罗方德合作生产的第二款分立型MRAM器件，他们还在GloFo的22nmFD-SOI工艺路线图中嵌入了MRAM。　　鉴于该工厂取消了7nm和更低制程的计划，包括嵌入式内存在内的特殊工艺对其未来显然至关重要。　　需要指出的是，尽管Everspin不是唯一一家致力于MRAM技术的公司，但它们却是分立式MRAM器件的唯一供应商。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。

2021-1-4 11:36:11 评论举报张建国