海飞乐技术现货替换IXFH220N20X3场效应管

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海飞乐技术现货替换IXFH220N20X3场效应管
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 220 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 204 nC
-小工作温度: - 55 C
-大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - -小值: 70 S
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 155 ns
典型接通延迟时间: 37 ns

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。
关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片。
1）受限于-大额定电流及脉冲电流；
2）受限于-大节温下的RDSON；
3）受限于器件-大的耗散功率；
4）受限于-大单个脉冲电流；
5）击穿电压BVDSS限制区。
我们电源上的MOSFET，只要保证能器件处于上面限制区的范围内，就能有效的规避由于MOSFET而导致的电源失效问题的产生。
这个是一个非典型的SOA导致失效的一个解刨图，由于去过铝，可能看起来不那么直接，参考下。
SOA失效的预防措施：
1）确保在-差条件下，MOSFET的所有功率限制条件均在SOA限制线以内；
2）将OCP功能一定要做精确细致。
在进行OCP点设计时，一般可能会取1.1-1.5倍电流余量的工程师居多，然后就根据IC的保护电压比如0.7V开始调试RSENSE电阻。有些有经验的人会将检测延迟时间、CISS对OCP实际的影响考虑在内。但是此时有个更值得关注的参数，那就是MOSFET的Td（off）。

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