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海飞乐技术现货替换IXTH2N300P3HV场效应管

2020-3-5 11:00:02 1219

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTH2N300P3HV场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 3000 V Id-连续漏极电流: 2 A Rds On-漏源导通电阻: 21 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 520 W 配置: Single 商标名: Polar3 封装: Tube 产品: Power MOSFET Modules 类型: High Voltage 商标: IXYS 下降时间: 62 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 17 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 69 ns 典型接通延迟时间: 21 ns 功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-5 11:00:02　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXTH3N200P3HV场效应管 587 • 海飞乐技术现货替换IXTH16P60P场效应管 662 • 海飞乐技术现货替换IXTH48P20P场效应管 686 • 海飞乐技术现货替换IXTX4N300P3HV场效应管 502 • 海飞乐技术现货替换IXTX6N200P3HV场效应管 965 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N50P场效应管 1066 • 海飞乐技术现货替换IXFH36N60P场效应管 500 • 海飞乐技术现货替换IXTQ22N60P场效应管 552 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 459 • 海飞乐技术现货替换IXTH80N65X2场效应管 1518