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海飞乐技术现货替换IXTX4N300P3HV场效应管

2020-3-3 17:33:41 502

0 ` 海飞乐技术现货替换IXTX4N300P3HV场效应管制造商: IXYS 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 3000 V Id-连续漏极电流: 4 A Rds On-漏源导通电阻: 12.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V -小工作温度: - 55 C -大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 960 W 配置: Single 商标名: Polar3 封装: Tube 产品: Power MOSFET Modules 类型: High Voltage 商标: IXYS 下降时间: 50 ns 产品类型: MOSFET 上升时间: 21 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 典型关闭延迟时间: 82 ns 典型接通延迟时间: 28 ns 1）由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。 2）IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ，射频领域的产品。 3）就其应用，根据其特点：MOSFET应用于开关电源，镇流器，高频感应加热，高频逆变焊机，通信电源等等高频电源领域。IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。开关电源（Switch Mode Power Supply；SMPS）的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT和MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。 ` 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2020-3-3 17:33:41　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 海飞乐技术现货替换IXTX6N200P3HV场效应管 965 • 海飞乐技术现货替换IXTX1R4N450HV场效应管 666 • 海飞乐技术现货替换IXTH2N300P3HV场效应管 1220 • 海飞乐技术现货替换IXTH3N200P3HV场效应管 589 • 海飞乐技术现货替换IXFH26N50P场效应管 1066 • 海飞乐技术现货替换IXFH36N60P场效应管 501 • 海飞乐技术现货替换IXTQ22N60P场效应管 553 • 海飞乐技术现货替换IXFH6N120P场效应管 459 • 海飞乐技术现货替换IXTH48P20P场效应管 687 • 海飞乐技术现货替换IXTH16P60P场效应管 663