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你好,
我成功地将工具箱和引导程序一起编程,并发现它工作得令人满意。我使用串行端口程序模式,因为我没有迷你程序员。我连动力都循环了很多次,运转良好。 如果我在一天之后打开电源,套件自动进入引导加载模式,主程序不起作用。 我预期引导加载程序工作得很好,但是主程序已经损坏了。在这方面的任何指针都会有帮助。 先谢谢你。 库尔迪克 |
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8个回答
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欢迎来到论坛,库尔迪克,新年快乐!
我们看到过像你们这样的电源供应很差的问题。你使用EMEEPROM组件还是用BooDad程序编写Flash? 您可以将完整的项目、Bootloader和BootloadLead都张贴出来,以便我们都可以查看您的所有设置吗?要做到这一点,使用C造饰者和GT;文件-GT;创建工作区束(最小)并附加结果文件。 鲍勃 |
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你好,鲍伯,
也祝你新年快乐。 谢谢你的回复。我发现你的其他职位有助于解决我的问题直到日期。 我附上了我的演示代码。是的,我使用的是EEEEPROM组件,这个工具包是从USB端口供电的。由于PCB是一个宽松的USB接线柱,可能有电源波动的可能性。 今天早上我也面临同样的问题。 先谢谢你。 当做, 库尔迪克 MulbStuSTWS.Cyrkk.Access 01.Zip 755.8 K |
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你认为用柏树提起诉讼会有帮助吗?可能!为它们提供工作空间束和指向该线程的链接。
另一方面,我会通过禁用测试得到的线索是否会导致错误或者其他情况导致你的观测误差,emeeprom访问检查。 鲍勃 |
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你好,Kuldeep,
很高兴您的问题得到解决。我不认为Bootloader的写保护可能会引起这个问题。Bootloader闪存区域将被修改,建议引导引导区域保护。 为了排除特定区域的校验和计算,可以在BooToeLab加载组件中使用新的特征。您可以给出需要从校验和计算中排除的区域的大小。该区域将在Meta表之前放置在Flash的结尾。E,一个新的部分,叫做CythCalthSuxEndoe。现在,您需要在本节中声明数组。 请参阅TAN898910:PSoC®4和PSoC 5LP ARM®皮质代码优化(link:HTTP://wwwyCysP.Co/Fiel/465 21/下载),了解如何将变量放置在不同节段的SoFlash中。 谢谢, 希马 |
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你好,希马,
谢谢你的回复。请给我一个使用PySOC4的CyxCuthSuxEngulee的示例项目。 请让我知道如何只标记闪存代码中的引导装载部分来进行写保护。还是按样本代码中给出的0000到7FFF的默认设置进行?? 我认为Bootloader的写保护可能导致了这个问题。 你的意思是说,如果我使用串行UART模式来下载BooToad代码和BooSoad,那么它也应该覆盖Flash的写保护部分?? 提前感谢 当做, 库尔迪克 |
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修正:0000至07FF
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你好,
我创建了一个使用排除校验和的简单示例项目。正如您在论坛帖子中提到的,不可能为排除和排除保留0000到7FFF。校验和排除函数将放置在元数据地址的下方。请使用启用校验和排除部分的CM0GCC.LD文件。然后您可以看到校验和排除部分的位置。 在这个项目中,我使用SCB UART Bootloader项目和仿真EEPROM组件示例项目作为可引导加载。我已经为校验和排除保留了40个字节。我在校验和排除部分中声明了仿真EEPROM数组。请注意,这个项目不是100%测试所有变化。这只是一个示例项目。 谢谢, 希马 SbBooBooLoul.BuffLe01.Zip 2.2兆字节 |
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谢谢你的工作。
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743个成员聚集在这个小组
加入小组2014 浏览 1 评论
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