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` IGBT是集合了MOSFET和GTR的优点,有耐压高、电流大、工作频率高、通态压降低、驱动功率小、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点。且它的制作技术比较成熟,应用领域非常广泛,所以比较受需要快速低损耗领域的青睐 。
典型应用包括: 升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接(H 桥)和三相桥接。 特点: 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE(开)IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 IGBT模块VS-GB90DA120U现货规格参数 最大连续集电极电流 149 A最大集电极-发射极电压 1200 V 最大栅极发射极电压 ±20V 最大功率耗散 862 W 封装类型 SOT-227 安装类型 面板安装 通道类型 N 引脚数目 4 开关速度 60kHz 晶体管配置 单 长度 38.3mm 宽度 25.7mm 高度 12.3mm 尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm 最低工作温度 -40℃ 最高工作温度 +150℃ 海飞乐技术肖特基模块可完全替换该产品 性能特点 反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时,正向电流I=IF。当t>t0时,由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压,因此正向电流迅速降低,在t=t1时刻,I=0。然后整流器件上流过反向电流IR,并且IR逐渐增大;在t=t2时刻达到最大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用,反向电流逐渐减小,并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。 ` |
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