完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
在使用M24M02时发现,连续两次写入数据需要间隔一定的时间,否则会导致无法写入的情况,查看spec发现stop和start中间有一个最大10ms的间隔。
请问下大佬们: 1)这个为什么时最大10ms,而不是最小,这个是因为写入的时候EEPROM自身擦除需要时间吗? 2)这个时间是否和写入的数据量有关,单次写入数据多,这个时间间隔就长? |
|
相关推荐
1个回答
|
|
在使用M24M02 EEPROM时,确实需要注意写入数据时的时间间隔问题。以下是针对您提出的问题的解答:
1)为什么是最大10ms,而不是最小? 这个问题的答案与EEPROM的工作原理有关。EEPROM(电可擦写可编程只读存储器)在写入数据时,需要先进行擦除操作。擦除操作需要一定的时间来完成,而这个时间通常是由EEPROM的规格书规定的。在M24M02的规格书中,最大10ms的间隔是为了保证擦除操作能够顺利完成,避免因为连续写入而导致数据损坏或无法写入。 2)这个时间是否和写入的数据量有关,单次写入数据多,这个时间间隔就长? 这个时间间隔与写入的数据量没有直接关系。最大10ms的间隔是为了保证擦除操作能够顺利完成,而擦除操作的时间与EEPROM的规格有关,与写入的数据量无关。但是,写入操作本身需要一定的时间,写入的数据量越大,写入所需的时间也会相应增加。因此,在实际应用中,为了保证数据的完整性和稳定性,建议在连续写入数据时,根据EEPROM的规格书要求,合理安排写入间隔。 为了解决这个问题,您可以采取以下措施: 1. 在连续写入数据时,确保两次写入之间有足够的时间间隔,遵循EEPROM规格书中的最大10ms间隔要求。 2. 在设计程序时,可以考虑使用延时函数(如Arduino中的delay()函数)来实现写入间隔。 3. 如果您的应用场景对实时性要求较高,可以考虑使用其他类型的存储器,如SPI Flash等,这些存储器的写入速度和性能可能会更符合您的需求。 4. 在实际应用中,可以对EEPROM进行多次测试,以确定在特定条件下的最佳写入间隔,从而保证数据的完整性和稳定性。 |
|
|
|
只有小组成员才能发言,加入小组>>
调试STM32H750的FMC总线读写PSRAM遇到的问题求解?
1627 浏览 1 评论
X-NUCLEO-IHM08M1板文档中输出电流为15Arms,15Arms是怎么得出来的呢?
1550 浏览 1 评论
984 浏览 2 评论
STM32F030F4 HSI时钟温度测试过不去是怎么回事?
688 浏览 2 评论
ST25R3916能否对ISO15693的标签芯片进行分区域写密码?
1601 浏览 2 评论
1867浏览 9评论
STM32仿真器是选择ST-LINK还是选择J-LINK?各有什么优势啊?
650浏览 4评论
STM32F0_TIM2输出pwm2后OLED变暗或者系统重启是怎么回事?
518浏览 3评论
536浏览 3评论
stm32cubemx生成mdk-arm v4项目文件无法打开是什么原因导致的?
506浏览 3评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-11-24 12:16 , Processed in 0.908433 second(s), Total 80, Slave 63 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号