[问答]

用STM9S003F3做IAP升级，写APP程序到APP地址区时有字节没有写成功的原因？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 用STM9S003F3做IAP升级，用IAR编译器，ST提供的库函数，稍加改写，以块编程的方式（64Byte)，去写FLASH, 现在是流程可以跑通，但是在写APP程序到APP地址区时，发现有字节没有写成功，请帮忙分析，谢谢。下面贴上我的块写程序： IN_RAM(void userFLASH_ProgramBlock(uint16_t BlockAddr, uint8_t Buffer)) { uint16_t Count; / Point to the first block address / / Standard programming mode / /No need in standard mode / FLASH->CR2 \|= FLASH_CR2_PRG; FLASH->NCR2 = (uint8_t)(~FLASH_NCR2_NPRG); / Copy data bytes from RAM to FLASH memory / for(Count = 0; Count < FLASH_BLOCK_SIZE; Count++) { ((PointerAttr uint8_t *) (MemoryAddressCast)BlockAddr + Count) = ((uint8_t)(Buffer[Count])); } } 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-4-23 15:39 审核通过
2024-4-23 06:49:15　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 lining870815844 该类别下有 32 个回答。邀请回答 h1654155275.6678 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报李艺银相关推荐 • STM32F1 IAP操作读保护选项字节设置，APP使用系统复位跳转后无法运行IAP的原因？ 338 • STM32F1的IAP程序，APP1和APP2两个应用程序交替更新程序不停重启 5808 • DfuSe demo下载后无法正常进入APP 5404 • 如何去实现APP程序以及进行IAP升级呢 3278 • STM32 IAP远程升级后STM32必须重启 5552 • IAP不跳转到APP 2354 • 请问如何实现CH32V307的IAP升级固件功能？ 2371 • 关于falsh起始地址IAP跳转问题求解 320 • STM32F103C8T6在bootloader使用了USB中断后，app区再使用usb中断，直接不会跳转到app区，怎么解决？ 219 • IAP设计能不能做两个APP，相互之间切换升级 3726 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 在分析这个问题之前，我们需要了解一些关于STM9S003F3和IAP（In-Application Programming）升级的基本信息。STM9S003F3是一款8位微控制器，具有内置的Flash存储器，可以进行IAP升级。IAP升级是一种在应用程序运行期间更新Flash存储器的技术，这使得设备可以在不重新启动的情况下进行固件更新。根据您提供的代码片段，您正在尝试使用块编程方式（64字节）将APP程序写入APP地址区。您提到在写入过程中，有些字节没有成功写入。为了分析这个问题，我们需要考虑以下几个可能的原因： 1. 地址对齐问题：确保BlockAddr和Buffer指针都是64字节对齐的。如果地址没有正确对齐，可能会导致写入失败。 2. 写入时序问题：在写入Flash时，需要遵循特定的时序要求。请检查您的代码是否遵循了STM9S003F3的数据手册中关于Flash编程时序的要求。 3. 中断影响：在写入Flash期间，如果有中断发生，可能会影响写入过程。确保在写入过程中禁用所有非关键中断，以避免干扰。 4. 电源电压问题：Flash编程需要足够的电源电压。请检查您的电源电压是否稳定且在规定的范围内。 5. 写入保护：检查您的设备是否启用了某些写入保护功能，这可能会阻止Flash写入。 6. 代码错误：仔细检查您的代码，确保没有逻辑错误或遗漏。例如，确保您正确地设置了FLASH_CR2寄存器，以及其他与Flash编程相关的寄存器。 7. 硬件问题：如果以上所有可能性都排除了，那么可能是硬件问题。您可以尝试使用另一块STM9S003F3芯片进行测试，以确定问题是否与硬件有关。为了更准确地诊断问题，您可以尝试以下步骤： 1. 使用ST提供的库函数进行单字节编程，而不是块编程。这可以帮助您确定问题是否与块编程有关。 2. 在写入每个字节后，立即读取并验证该字节是否已正确写入。这可以帮助您确定写入失败的具体位置。 3. 使用调试器或逻辑分析仪检查与Flash编程相关的寄存器和信号，以获取更多关于写入过程的信息。 4. 如果可能，尝试在不同的STM9S003F3芯片上重复实验，以排除硬件问题。 5. 查阅STM9S003F3的数据手册和IAR编译器文档，以确保您正确地使用了所有相关功能和选项。希望这些建议能帮助您找到问题的根源并解决它。祝您好运！

2024-5-10 18:02:12 评论举报张波