CS125X 系列问题集

1.问：CS125X 上电复位如何初始化？

答：上电瞬间，由于电池接触问题，造成电源上下波动，引起CS125X 反复复位，引起 CS125X 工作 不正常。所以等电压稳定后，做如下操作：

1、先复位 CS125X 通讯口，CS 脚拉低，SDA 脚拉高，SCL 脚拉低。

2、发送复位指令 96H 到 EAH 寄存器，延时 5ms。

3、读取寄存器 0AH 中的值，判断 0AH 寄存器中的第 6 位芯片上电复位标志是否为 1，否则继续 1.2 条。一直到芯片上电复位标志位为 1。

4、超时机制（如果连续 5 次芯片上电复位标志位都不为 1，直接跳到 1.5）

5、发送数据 5AH 到寄存器 5AH 中。

6、发送数据 FFH 到寄存器 12H 中。

7、发送数据 FFH 到寄存器 13H 中。

8、发送数据 BFH 到寄存器 10H 中。

2.问：CS125X 如何计算人体阻抗？**

答： 1、读取稳定的内短模式 ADC，保存到寄存器 AD0；

2、读取稳定的校准电阻 R0 ADC，保存到寄存器 ADr0；

3、读取稳定的校准电阻 R1 ADC，保存到寄存器 ADr1；

4、读取稳定的人体电阻 ADC，保存到寄存器 ADrx；

5、计算人体阻抗 ( R1 – R0 ) * ( ADrx – AD0 )

R = ---------------------------------------- ; K 为常数(可正可负)，见问题 19

ADr1 – ADr0 - K

3.问：CS1257,CS1258 称重量模式下，寄存器如何配置?

答：寄存器默认推荐值如下：

SYS 寄存器-----00011110B

ADC0 寄存器----00000000B

ADC1 寄存器----01011101B

ADC2 寄存器----00000000B

ADC3 寄存器----00000000B

ADC4 寄存器----01000010B

ADC5 寄存器----00000000B

BIM0 寄存器 ----00000000B

BIM1 寄存器 ----00000000B

具体含义间应用笔记或用户手册

4.问：CS125X 如何进入低功耗？ **

答： CS 脚拉低， SCL 脚拉高，延时 200uS，CS 脚拉高，芯片进入低功耗模式。

5.问：CS125X 低功耗后，主控 IO 口设置什么状态？**

答： CS，SDA，SCL 脚输出为高。

6.问：CS125X 芯片测试电阻时，读出来 AD 为 0，如何解决？

答： 测试人体阻抗时，按如下步骤：

1、先切换到内短模式，测试内短。

2、再切换到人体测试模式，测试人体。

7.问：CS125X 测试人体阻抗时，交流 50KHz 信号未出来，如何解决?

答：检查步骤如下：

1、检查 SYS 寄存器是否配置为 BIM 测量模式

2、寄存器 10H 中，是否有写入数据 BFH

3、PCB 上的总电源 LDO 输出电容，需要改为 47uF

8.问: CS125X 芯片测试纯电阻，一致性差异有多大？

答：一致性大概1%。PCB 上的 2 个参考电阻，使用 1%精度。

9.问: CS125X 第一次上电，测试阻抗偏差大，如何解决？

答：建议连续测试2 次，第一次数据不使用。

10.问：切换ADC 通道后，需要丢弃多少笔 AD 数值才稳定？

答： 一般建议丢掉4 笔 AD 数。

11.问：如何选择 VS 输出的电压值？

答：测试人体阻抗BIM 模式下，建议 VS 选择 2.8V。

12.问：电路设计及 PCB Layout 中，可采用哪些措施以加强芯片抗 ESD 能力？

答： 在电极片的引脚上，串联300ohm 的电阻，或者并联 ESD 保护元器件。

13.问：电路设计及 PCB Layout 中，可采用哪些措施以加强芯片抗干扰能力？

答：在AIN0 和 AIN1 之间并联 10nF 和 1nF 电容，可以提高 EMC 干扰。

14. 问：站姿异常是怎么处理的？

答： 1、 配置 isin0 电流输出，isin1 电流输入，vsen0 – vsen1 + 测得电阻 计为 r01 如果 r01<200 或者 r01>1500 报错，否则 step2

2、配置 isin1 电流输出，isin0 电流输入，vsen1 – vsen0 + 连续测得 3 次电阻 计为 r10_1 、r10_2、 r10_3，三个阻值取中间阻值的当作有效值，假设是 r10_2,

如果r10_2 <200 --- > 报错 r10_2>1500 --- > 报错，否则 step3

3、如果 r01 和 r10_2 的差值的绝对值大于 500--> 报错，否则，step4

4、本次有效电阻 R1=（r01+ r10_2）/2 ;

15.问：BIM 测脂时 SYS 寄存器操作注意事项

答：当配置SYS 寄存器时， LDO 的使能要先于 BIM 使能 50ms。 包括 1)初次上电先使能 LDO、 ADC 再延时 50ms 后使能 BIM；2)powerdown 之前要关掉 LDO、ADC、BIM，powerdown 唤醒之后先使能 LDO、ADC 再延时 50ms 使能 BIM。

16.问：测内短、测参考电阻、测人体每个具体的步骤是怎样的？

答：操作遵循Step1.写 BIM0 （主要选择 BIM 测量通道，测内短、参考 0、参考 1 时不用配置） Step2.写 BIM1 （主要选择测量频率、测量模式） Step3.使能 BIM （SYS 寄存器写 0xCF，enable BIM 模块）， Step4.读 AD 值 ，Step 5 n 笔 AD 读完后，关闭 BIM （SYS 寄存器写 0xCE，disable BIM 模块） 按照 Step1~ Step5 的顺序，主要的目的是在用完 BIM 模块后要关闭，下一次使用的时候再打开。

17.问：对于由于 M97 IO 紧张采用 CS125x 的 SDA 口和 flash 的 DO 口共用 IO 是怎么处理的？

答：操作cs125x 时把 flash 的 CS 拉高，失能 flash，就可以操作 cs125x 操作 flash 时, 把 cs125x 进入低功耗模式（调用 PowerDownCS125x），就可以操作 flash

注：不要共用CLK 口，可以把 CLK 速率适当加快提高速度。

18.问 八电极的线材电极片有什么要求？

电极片设计参考《体脂秤电极设计规范》仅供参考

19.问：K 值校准是什么意思？

答：由于工艺的差异，芯片参考电阻0 和参考电阻 1 连线的斜率需要校准，这样一致性会更好也更 准确。 思路：在外部外接已知的固定电阻，根据计算电阻的公式（见问题 2）反推出公式分母上的 k 是 多少，并保存在 flash 中，下次测量外部未知电阻时从 flash 读出代入公式计算未知电

校准方法：Step1：CS125x 电流电压端子外接电阻（误差<=1%）例如 500 欧，计为 R.

Step2：使系统进入 cs125x 校准模式（类似人体秤的重量标定模式，开发人员实现），

Step3：测量内短 AD 码、参考电阻 0 AD 码、参考电阻 1 AD 码、外接电阻 AD 码分别计为 AD0 、 ADr0、ADr1、ADrx；参考电阻 0、参考电阻 1 的电阻阻值分别计为 R0、R1，得到以上数据. Step4：计算校准因子 k=ADr1-ADr0-(ADrx-AD0)*(R1-R0)/R .（

k 可正可负） Step5：把 k 值保存入 flash（要求掉电不丢失）

Step6：下次计算外部未知电阻时使用保存的 k 值带入计算.

20.问： 芯海的人体成分算法怎么使用？

答：目前芯海的人体成分算法有三种使用方式

1、秤端

2、APP 端

3、服务器端

4、CSM37F58 端